| 主要特点及用途： 本公司生产的电子元器件结构陶瓷，高频损耗小，绝缘强度高，比体积电大，介电常数小，机械强度高，气密性、化学稳定性好等特点。能生产各种瓷座、瓷架、瓷片、瓷管、瓷环等数百个品种，广泛应用于电子元件、电子器件与电工产品中，产品符合国家标准。 主要技术指标： 性能项目 | 单位 | 99瓷
99%Al2O3 | 95瓷
95%Al2O3 | 90瓷
90%Al2O3 | 75瓷
75%Al2O3 | 莫来石瓷
A3S2 | 体积密度 | g/cm3 | ≥3.80 | ≥3.60 | ≥3.40 | ≥3.20 | | 气密性 | | 通过 | 通过 | 通过 | | | 抗折强度 | Kgt/cm2 | 3000 | 2800 | 2300 | 2000 | 1000 | 抗热震性 | | 通过 | 通过 | 通过 | | | 膨胀系数 | ×10-6mm/ºC | 6.5~8.5 | 6.5~8 | 6.3~7.3 | ≤6 | 6.5~7 | 介电常数 | 1MHz20ºC | 9~10.5 | 9~10 | 9~10 | 8.3~9 | ≤7.5 | 介质损耗角正切值 | 1MHz20ºC | ×10-4 | ≤2.5 | ≤4 | ≤6 | ≤10 | ≤20 | 1MHz80ºC | ×10-4 | ≤3.5 | ≤4.2 | ≤8.5 | ≤10.7 | ≤25 | 100ºC体积电阻率 | Ω·cm | ＞1014 | ＞1014 | ＞1013 | ＞1012 | ＞1012 | 击穿强度 | KV/mm | 15 | 15 | 15 | 20 | 18 | 洛氏硬度 | HR | ＞86 | ＞86 | ≥86 | | |
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